Cas d'application de la graisse silicone thermoconductrice pour le système d'entraînement électrique des véhicules à énergie nouvelle

September 24, 2026

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Introduction : Défis de la sélection de la graisse thermique pour la gestion thermique des VE

Dans la gestion thermique des systèmes d'entraînement électrique des véhicules à énergie nouvelle (VE), l'efficacité de la dissipation thermique des semi-conducteurs de puissance (tels que les modules IGBT et SiC) détermine directement les performances et la fiabilité du véhicule. En tant que milieu critique reliant la puce et le dissipateur thermique, la sélection de la graisse d'interface thermique est d'une importance capitale. Une graisse de haute qualité à conductivité thermique peut réduire efficacement la résistance thermique de contact, garantissant que la dissipation thermique des IGBT et la conduction thermique des modules SiC restent dans des limites sûres. Cette étude de cas explore comment un fabricant de VE a sélectionné scientifiquement la pâte thermique pour l'électronique de puissance dans un onduleur afin de résoudre les défis de gestion thermique dans des conditions de fonctionnement extrêmes.

Description du scénario d'application : Environnement thermique sévère dans les onduleurs

L'onduleur du système d'entraînement électrique de ce fabricant de VE présente un espace intérieur compact, où les modules IGBT/SiC génèrent une densité de flux de chaleur extrêmement élevée lors de la sortie de puissance maximale. En raison des vibrations continues pendant la conduite et des contraintes mécaniques causées par l'incompatibilité des coefficients de dilatation thermique entre le module de puissance et le dissipateur thermique, les graisses thermiques traditionnelles sont très sensibles à l'effet "pump-out" ou au saignement d'huile. Cela entraîne non seulement le séchage et la défaillance du matériau d'interface thermique, mais déclenche également des points chauds locaux, menaçant gravement la sécurité de conduite. Par conséquent, le système exige une résistance au fluage, une résistance au pump-out et une stabilité à long terme au cyclage thermique exceptionnellement élevées de la pâte thermique pour l'électronique de puissance.

Recommandation de produit et solution d'appariement : Stratégie de combinaison de G-776 et G-775/G-777

Pour répondre aux exigences complexes du système d'entraînement électrique, nous recommandons une solution combinée utilisant la graisse Shin-Etsu : utilisation de G-776 comme matériau d'interface thermique principal, complétée par G-775 ou G-777 pour le renforcement ou la conception différenciée dans des zones spécifiques. G-776, dilué avec des solvants isoparaffiniques, maintient une faible viscosité (58 Pa·s) pour une distribution automatisée facile tout en démontrant une résistance au pump-out et une performance anti-fluage supérieures par rapport aux produits à usage général, ce qui le rend idéal pour les interfaces thermiques à haute fiabilité comme les IGBT et les CPU. Pour les zones de bord soumises à des contraintes mécaniques plus importantes ou nécessitant une fiabilité ultime à long terme, G-775 à haute viscosité (500 Pa·s) ou G-777 aux propriétés physiques extrêmement stables peuvent être associés pour construire une barrière de protection thermique multicouche.

Analyse comparative des produits : Paramètres clés de trois graisses thermiques blanches

Pour démontrer plus intuitivement la base de la sélection, le tableau suivant compare les paramètres clés de trois graisses thermiques blanches : G-775, G-776 et G-777. G-776 atteint le meilleur équilibre entre conductivité thermique (3,1 W/m·K) et facilité d'application ; G-775 offre une résistance au pump-out ultime grâce à sa densité spécifique élevée et sa viscosité élevée ; tandis que G-777 assure une durée de vie allant jusqu'à dix ans avec une teneur en matières volatiles extrêmement faible (0,1%).

Paramètre G-775 G-776 G-777
Conductivité thermique (W/m·K) 3,6 3,1 3,1
Viscosité (Pa·s) 500 58 172
150℃/24h / Matières volatiles (%) 0,26 3,1 0,1
Plage de température (℃) -40~150 -40~200 -40~200
Avantage clé Résistance extrême au pump-out Application facile et anti-fluage Stabilité à long terme

Résultats de mise en œuvre et données : Réduction de la résistance thermique et extension de la durée de vie

Après l'introduction de la solution de graisse Shin-Etsu avec G-776 comme matériau principal et G-777 comme matériau secondaire, l'onduleur a démontré d'excellentes performances lors des tests de fonctionnement continu à une température de jonction de 150℃. Les données mesurées indiquent que la résistance thermique d'interface du module IGBT a diminué d'environ 18 % par rapport à la génération précédente de graisse à usage général, et que la température de jonction maximale a chuté de 4,5℃. Après 2 000 heures de tests de cyclage à haute température, haute humidité et choc thermique, aucun saignement d'huile ou séchage significatif n'a été observé à l'interface G-776. Le taux de croissance de la résistance thermique a été maintenu en dessous de 5 %, répondant parfaitement aux exigences de gestion thermique du cycle de vie complet de 15 ans/300 000 km pour les VE.

FAQ : Foire aux questions

1. Pourquoi la graisse thermique à usage général ne peut-elle pas être utilisée directement dans les systèmes d'entraînement électrique des VE ?

La graisse à usage général est sujette à l'effet pump-out sous l'effet des vibrations continues et de la dilatation/contraction thermique, entraînant une défaillance du refroidissement. Les systèmes d'entraînement électrique doivent utiliser une pâte thermique pour l'électronique de puissance avec une résistance élevée au fluage et au pump-out.

2. La faible viscosité de G-776 affectera-t-elle la fiabilité à long terme ?

Non. G-776 utilise une formulation de solvant spéciale ; sa faible viscosité initiale facilite l'application automatisée, et après évaporation du solvant, sa résistance au fluage et au saignement d'huile surpassent la plupart des produits à usage général, spécifiquement conçus pour les scénarios à haute fiabilité comme les IGBT.

3. Quand faut-il choisir G-775 plutôt que G-776 ?

Lorsque la zone d'application est soumise à des contraintes mécaniques extrêmes, ou lorsque le dissipateur thermique présente une mauvaise planéité nécessitant une ligne de collage plus épaisse pour combler les espaces, la haute viscosité (500 Pa·s) et la densité spécifique élevée de G-775 offrent une résistance au pump-out ultime et un support structurel.

4. Comment la teneur en matières volatiles de la graisse thermique affecte-t-elle le système ?

Une teneur élevée en matières volatiles provoque le séchage et le durcissement de la graisse à haute température, augmentant la résistance thermique. Avec une teneur en matières volatiles de seulement 0,1 %, G-777 assure des propriétés physiques stables jusqu'à dix ans à 200℃, ce qui le rend adapté aux systèmes d'entraînement électrique sans entretien.

5. Comment évaluer la compatibilité d'application de la graisse Shin-Etsu ?

La faible viscosité de G-776 la rend parfaitement compatible avec les processus automatisés tels que le dosage et l'impression par sérigraphie. Elle présente également un excellent mouillage avant durcissement, remplissant efficacement les vides au niveau microscopique pour réduire la résistance thermique de contact.

6. Cette solution combinée convient-elle à la dissipation thermique des modules SiC ?

Absolument. Les modules SiC ont une densité de flux de chaleur plus élevée et des exigences plus strictes pour les matériaux d'interface. La combinaison G-776/G-777 possède une excellente stabilité à haute température et une faible résistance thermique, ce qui en fait un choix idéal pour la conduction thermique des modules SiC.

Conclusion et conseils de contact

Dans la gestion thermique des systèmes d'entraînement électrique des VE, la sélection de la graisse d'interface thermique appropriée est la pierre angulaire pour assurer la stabilité à long terme du système. Grâce à la combinaison scientifique de G-776 et G-775/G-777, les points faibles du pump-out et du séchage dans la dissipation thermique des IGBT et la conduction thermique des modules SiC peuvent être efficacement résolus.

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